更有趣的是，国家共同截止电压为4.3V时，国家共同O3单斜相仍保持不变，而在3.5-3.0V的放电过程中，(003)峰向较低的角度移动，O3单斜相转变为P3单斜相，说明在放电过程中，材料可通过O3-P3-O3的结构演变回到O3相。
其中有关钙钛矿光伏的研究重点主要集中在钙钛矿维度与纳米结构调控、局鼓新型分子界面开发、局鼓高性能全无机、无甲胺和锡基窄带隙钙钛矿电池器件的优化、器件稳定性和结晶生长机制研究以及适合印刷制备的大面积模组、钙钛矿/有机叠层、半透明器件及其应用探索等。（b）在40%的相对湿度条件下，励牵联合基于不同空穴传输材料的未封装Cs0.05FA0.95PbI3器件湿度稳定性对比。
头企体当前已报道的高效正置n-i-p型钙钛矿太阳电池多采用Spiro-OMeTAD作为空穴传输材料。此外，业和功能型受体单元的合理引入可以有效钝化钙钛矿表面缺陷位点，提升界面处的电荷传输及提取效率，提升器件性能。受端图4不同空穴传输材料对于钙钛矿薄膜与器件光电性能的影响（a）SCLC方法用于测试不同材料的空穴迁移率。
组建图6器件的长效稳定性（a）基于不同空穴传输材料的薄膜表面接触角对比。【研究背景】空穴传输层作为钙钛矿太阳电池器件结构中的重要组成部分，大基地项对于空穴收集、大基地项抑制电子背向传输以及保护钙钛矿层免受外界环境因素影响等方面都起到重要作用。
国家共同图5基于非掺杂空穴传输材料的器件性能（a）n-i-p型正置钙钛矿太阳电池结构示意图。
另一方面，局鼓更深的分子HOMO能级，降低了界面处的能量势垒，抑制了非辐射复合损失。担任Matter杂志国际顾问，励牵联合ScienceBulletin及JournalofSemiconductors期刊的编委会会员。
头企体（e）Mott-Schottky曲线用于评估空穴传输层/钙钛矿界面处的内建电势和载流子分布。DTB-FL材料良好的兼容性、业和能带排布及薄膜质量也确保了其在大面积制备及全无极钙钛矿体系中的应用。
【图文简介】图1分子结构及分子堆积（a）分别是中间产物TPAOMe-BT-Br、受端D-A-D型对照材料DT-BT和目标材料DTB-FL的合成路线。组建（b）基于DTB-FL和Spiro最优器件的效率曲线图。
